特許
J-GLOBAL ID：200903089227971661

ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法

発明者：
廣瀬 全孝

廣瀬 全孝 について

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中村 新吾

中村 新吾 について

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板野 充司

板野 充司 について

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青山 博一

青山 博一 について


出願人/特許権者：
ダイキン工業株式会社

ダイキン工業株式会社 について


代理人 (1件)： 三枝 英二 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-339908
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016050
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを形成する、及び低誘電率膜を良好にエッチングする。【解決手段】CF3CF=CFCF=CF2及び/又はCF2=CFCF=CF2を必要に応じてHe、Ne、Ar、Xe、Kr、O2、CO及びCO2からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスと混合してなるドライエッチングガスプラズマ(例えば、ICP放電電力200-3000W,バイアス電力50-2000W,圧力100mTorr(13.3Pa)以下)で、酸化シリコン膜及び/又は窒化シリコン膜をレジスト、シリコンに対して選択的にエッチングする方法;二重結合を二つ有する一般式(1):CaFbHc(a=4〜7、b=1〜12、c=0〜11、b+c=2a-2を示す。)で表される化合物を少なくともひとつ含むドライエッチングガス及び該ガスプラズマで、酸化シリコン膜及び/又はシリコンを含有する低誘電率膜などのシリコン系材料をエッチングするドライエッチング方法。
請求項（抜粋）：
CF3CF=CFCF=CF2及び/又はCF2=CFCF=CF2からなるドライエッチングガス。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C
Fターム (42件)：
4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104EE05 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104HH20 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR25 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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