特許
J-GLOBAL ID：200903052617374388
半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置の反応室環境制御方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-296923
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135482
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 炭素に対するフッ素の比率が2以下のガスを用いたプラズマエッチング工程において安定したエッチング特性を実現する。【解決手段】 エッチング装置の反応室内で炭素に対するフッ素の比が2以下のガスのプラズマを用いて酸化シリコン膜のエッチングを行う工程の後、反応室内の内壁に形成されたポリマー膜を酸素プラズマによって酸化・除去する反応室環境制御工程を行う。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体素子を形成する工程と、前記基板上に酸化シリコン膜を堆積する工程と、前記酸化シリコン膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、エッチング装置の反応室内で炭素に対するフッ素の比が2以下のガスのプラズマを用いて前記酸化シリコン膜のエッチングを行う工程と、前記反応室内の内壁に形成されたポリマー膜を酸化する反応室環境制御工程と、を包含することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 F
