特許
J-GLOBAL ID：200903000620940602

ヘキサフルオロブタジエン又は関連ヒドロフルオロカーボンを使用する酸化物のエッチング方法及び広いプロセスウィンドーの表示方法

発明者：
フン ホイマン レイモンド

フン ホイマン レイモンド について

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コールフィールド ジョセフ ピー

コールフィールド ジョセフ ピー について

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シャン ホンシン

シャン ホンシン について

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ワン ルイピン

ワン ルイピン について

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イン ジェラルド ゼット

イン ジェラルド ゼット について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-583080
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530863
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：
【要約】非酸化物組成物、例えば、窒化ケイ素を有する特徴24の上の酸化物18を選択的にエッチングするのに特に有益な、また特に特徴が酸化物エッチング中にファセットを形成する傾向がある場合に有益な、酸化物エッチング方法。本発明の一つの局面は低いF/C比を有する水素を含まない4種のフルオロカーボン、特にヘキサフルオロブタジエン(C4F6)、オクタフルオロペンタジエン(C5F8)、ヘキサフルオロシクロブテン(C4F6)、及びヘキサフルオロベンゼン(C6F6)の一種を使用する。少なくともヘキサフルオロブタジエンは10°C未満の沸点を有し、市販されている。本発明の別の局面は不飽和フルオロカーボン、例えば、ペンタフルオロプロピレン(C3HF5)、及びトリフルオロプロピン(C3HF3)を使用し、これらの両方が10°C未満の沸点を有し、市販されている。フルオロカーボンがかなりの量の貴ガス、例えば、アルゴン又はキセノンと一緒にプラズマ源出力をチャンバーに誘導結合し、ウェハを支持するペデスタル電極をRFバイアスする反応器中で高密度プラズマに励起される。二つの2工程エッチング方法の一つが使用されることが好ましい。第一の方法では、源出力及びバイアス出力がエッチングの終了に向かって低下される。第二の方法では、フルオロカーボンが主工程に使用されて良好な垂直プロフィールを与え、また一層強く重合するフルオロカーボン、例えば、ジフルオロメタン(CH2F2)がオーバーエッチングに添加されて窒化物コーナーを保護する。同じ化学が、好ましくは更に多量のアルゴンを使用する、磁気増進反応性イオンエッチング装置(MERIE)に使用し得る。
請求項（抜粋）：
非酸化物層の上の酸化物層をエッチングする酸化物エッチング方法であって、プラズマ反応チャンバーに、フキサフルオロブタジエン、ヘキサフルオロシクロブテン、及びヘキサフルオロベンゼンからなる群から選ばれる重質フルオロカーボン及び化学的に不活性なガスを含むエッチングガス混合物を流入させる工程であって、前記化学的に不活性なガスの希釈剤流量が前記重質フルオロカーボンの活性な流量に少なくとも等しい、前記工程、 窒化物層の上にある酸化物層を有する基板を支持するペデスタル電極をRFバイアスする工程、及び、 前記エッチングガス混合物をプラズマに励起し、それにより前記酸化物層を前記非酸化物層に選択的にエッチングする工程、を含む、前記方法。
Fターム (15件)：
5F004BA05 ,  5F004BA08 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03 ,  5F004EA07 ,  5F004EB01
引用特許：
審査官引用 (12件)
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