特許
J-GLOBAL ID:200903089234417904

発光ダイオードの電極構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢口 平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-273932
公開番号(公開出願番号):特開平8-139363
出願日: 1994年11月08日
公開日(公表日): 1996年05月31日
要約:
【要約】【目的】 裏面電極とリードフレームの接着不良を低減し、チップの傾きが小さく集光特性の良好な発光ダイオードを再現性良く製造する。【構成】 発光ダイオードの裏面電極構造をオーミック合金層/中間金属層/低融点合金層とし、低融点合金の融点を500°C以下として、半導体に熱応力が掛からないようにし、クラックの発生を防止する。また、均一な接着層とすることによりチップの傾きを低減させる。【効果】 半導体のクラックなどによる断線による不良、故障がなくなり、信頼性が向上する。接着面との平行度の精度が向上し設計通りの集光特性が得られる。
請求項(抜粋):
半導体基板上にオーム性接触をなすオーミック合金層、Au層、低融点合金層を順次載置してなることを特徴とする発光ダイオードの電極構造。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  H01L 29/43
引用特許:
審査官引用 (9件)
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