特許
J-GLOBAL ID：200903089237790509

半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
大川 章

大川 章 について

, 
佐藤 英紀

佐藤 英紀 について

, 
山田 悟

山田 悟 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-344160
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160587
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】 基板の素子分離溝や配線間スペースなどに絶縁膜を良好に埋め込む技術を提供する。【解決手段】 トリエトキシシランとオゾンとを含む混合ガスを用いたCVD法により、微細な幅の素子分離溝が形成された基板1上に酸化シリコン膜を堆積する。
請求項（抜粋）：
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法;(a)半導体基板の主面の素子分離領域に溝を形成する工程、(b)トリエトキシシラン、またはトリエトキシシランおよびフルオロトリエトキシシランの混合ガスとオゾンとを含む混合ガスを用いたCVD法により、前記溝の内部および前記半導体基板上に酸化シリコンを主成分として含む絶縁膜を形成する工程、(c)前記溝の外部の前記絶縁膜を化学機械研磨法により除去し、前記溝の内部に前記絶縁膜を残すことにより、前記半導体基板の前記素子分離領域に素子分離溝を形成する工程。
IPC (6件)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (6件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 27/08 331 A ,  H01L 21/76 N ,  H01L 21/90 P ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 F
Fターム (104件)：
5F032AA34 ,  5F032AA36 ,  5F032AA37 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032CA03 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN12 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX02 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB09 ,  5F048BB13 ,  5F048BE02 ,  5F048BF02 ,  5F048BF04 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA27 ,  5F058BA02 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04 ,  5F058BH01 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD31 ,  5F083AD48 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR09 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (5件)
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