電子装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横山淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-076042
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273114
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】レジストパターンに欠損部が生じても、その欠損の影響を製品に及ぼすこことを防止する方法を提供する。【解決手段】電子装置の製造方法は、(a)下地基板上に被処理膜を成膜する工程と、(b)前記被処理膜状にレジストパターンを形成する工程と、(c)前記レジストパターンの欠損部を検出する工程と、(d)前記レジストパターンの欠損部に光CVD膜を成膜する工程と、(e)前記レジストパターンおよび前記光CVD膜をマスクとして前記被処理膜をエッチングする工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

(a)下地基板上に被処理膜を成膜する工程と、(b)前記被処理膜状にレジストパターンを形成する工程と、(c)前記レジストパターンの欠損部を検出する工程と、(d)前記レジストパターンの欠損部に光CVD膜を成膜する工程と、(e)前記レジストパターンおよび前記光CVD膜をマスクとして前記被処理膜をエッチングする工程と、を含む電子装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , G03F 7/20 501 , G03F 7/40 511 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/20 501 , G03F 7/40 511 , H01L 21/88 B , H01L 21/30 502 W

Fターム (19件)：

2H096AA27 , 2H096HA05 , 2H096HA30 , 2H096LA30 , 2H097CA11 , 2H097JA04 , 2H097LA12 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033PP10 , 5F033PP31 , 5F033QQ27 , 5F033QQ37 , 5F033VV15 , 5F033XX36

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜製造方法および薄膜多層基板製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-334295 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-134950
特開平1-134950

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