特許
J-GLOBAL ID：200903089286860687
プラズマCVD装置の処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-398229
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159182
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマCVD装置の処理方法を提供する。【解決手段】反応室9内に配置された基板載置プレート3と、基板載置プレート3に対向するように反応室9内に配置された電極板1と、電力印加手段としてのRF電源7と、を備えたプラズマCVD装置の基板載置プレート3上に基板8を載置し、反応室9内に窒素ガスを導入するとともに、RF電源7によって、基板載置プレート3と電極板1との間に電力を印加して窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマによって反応室9内に付着した堆積物と基板8の酸化膜とを同時に除去する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応室内に配置された基板載置プレートと、この基板載置プレートに対向するように前記反応室内に配置された電極板と、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加してプラズマを発生させる電力印加手段と、を備えたプラズマCVD装置の前記反応室内に窒素ガスを導入するとともに、前記電力印加手段によって、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加して窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマによって前記反応室内に付着した堆積物を除去してなるプラズマCVD装置の処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/31 C
, C23C16/44 J
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030DA06
, 4K030FA03
, 4K030LA15
, 5F045AA08
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AF03
, 5F045BB08
, 5F045BB14
, 5F045DP13
, 5F045EB06
, 5F045EB13
