プラズマクリーニングガス及びプラズマクリーニング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴木俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-249780
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158123
出願日： 2002年08月28日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【解決手段】本発明に係るCVDチャンバー用プラズマクリーニングガスは、プラズマCVD装置によって基板に成膜処理を行った後の、CVDチャンバー内壁表面およびCVDチャンバー内に配置した部材表面上に堆積したケイ素含有付着物のクリーニング用ガスであって、該クリーニング用ガスが、100容量%のフッ素ガスであって、放電によりプラズマを発生させるフッ素ガスであることを特徴としている。【効果】濃度100容量%のフッ素ガスから放電によりプラズマを発生させてクリーニングガスとして用いると、極めて優れたエッチング速度が得られ、しかも、ガス総流量1000sccm、チャンバー圧400Paにおいても安定してプラズマを発生させることができるとともに、前記条件下においてもクリーニング均一性を確保できる。さらに、濃度が100%であるので、装置が複雑化せず、実用性に優れる。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD装置によって基板に成膜処理を行った後の、CVDチャンバー内壁表面およびCVDチャンバー内に配置した部材表面上に堆積したケイ素含有付着物のクリーニング用ガスであって、該クリーニング用ガスが、100容量%のフッ素ガスであって、放電によりプラズマを発生させるフッ素ガスであることを特徴とするCVDチャンバー用プラズマクリーニングガス。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 J

Fターム (12件)：

4K030DA06 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AB30 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC00 , 5F045EB06

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-044469
非プラズマ式チャンバクリーニング法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-179886 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体製造装置のクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-159481 出願人：株式会社日立製作所

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