半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-031527
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249661
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】応力バランスを考慮して結晶質半導体膜の上下に形成する絶縁膜を選択し、特性の向上を図る。【解決手段】基板上に引張り応力を有する酸化窒化シリコン膜を形成し、その上に引張り応力を有する結晶質半導体膜を形成し、その結晶質半導体膜上に圧縮応力を有する酸化窒化シリコン膜を形成する。さらに上記引張り応力を有する酸化窒化シリコン膜と結晶性半導体膜との間に、別の酸化窒化シリコン膜を形成する。引張り応力を有する酸化窒化シリコン膜は、SiH4、N2O及びNH3からなる混合ガスを用いたプラズマCVD法により形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に引張り応力を有する第1の酸化窒化シリコン膜を形成し、前記第1の酸化窒化シリコン膜上に第2の酸化窒化シリコン膜を形成し、前記第2の酸化窒化シリコン膜上に引張り応力を有する結晶質半導体膜を形成し、前記結晶質半導体膜上に圧縮応力を有する第3の酸化窒化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/1368

FI (5件)：

G02F 1/1333 505 , G02F 1/1368 , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 626 Z

Fターム (84件)：

2H090HA01 , 2H090HB03X , 2H090HB04X , 2H090HC03 , 2H090HD01 , 2H090JA08 , 2H090LA04 , 2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JB56 , 2H092KA04 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA08 , 2H092MA30 , 2H092NA25 , 2H092PA06 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN28 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ12 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (2件)

多結晶半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-181378 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-344495 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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