特許
J-GLOBAL ID：200903089320602030
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131530
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335975
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体に適切な反射鏡を形成することにより、基板と垂直方向にレーザ共振器を形成した面発光型の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を実現する。【構成】 窒化ガリウム系化合物半導体よりなるダブルへテロ構造のレーザ素子において、活性層4を挟んで基板1と平行方向に第1の反射鏡12と第2の反射鏡3が形成され、基板と垂直方向にレーザ共振器が形成されており、第一の反射鏡12はオーミック接触が得られた透光性の電極である。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されてダブルへテロ構造とされたレーザ素子において、前記レーザ素子には活性層を挟んで基板と平行方向に第1の反射鏡と第2の反射鏡が形成され、基板と垂直方向にレーザ共振器が形成されており、前記第一の反射鏡は積層された窒化ガリウム系化合物半導体層の最表層に形成され、その最表層と好ましいオーミック接触が得られた透光性の電極より成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
引用特許：
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