酸化ルテニウムフィルムの調製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-567761
公開番号（公開出願番号）：特表2002-524654
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2002年08月06日
要約：

【要約】本発明は、(ジエン)Ru(CO)3 の式の液体ルテニウム錯体及び酸化性ガスから酸化ルテニウムフィルムを調製する方法を提供する。ここで「ジエン」とは、直鎖の、枝分かれした若しくは環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Si、S、Se、P、As、N又はOのようなヘテロ原子又はこれらの組み合わせを更に有するそれらの誘導体に言及している。好ましい例は、シクロヘキサジエン又はシクロヘプタジエンルテニウムトリカルボニルと酸素ガスである。

請求項（抜粋）：

半導体基材又は基材アセンブリを提供すること; 以下の式(式I)の1又は複数種の化合物を含む液体先駆物質組成物を提供すること: (ジエン)Ru(CO)3ここで「ジエン」とは、直鎖の、枝分かれした若しくは環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Si、S、Se、P、As、N又はOのようなヘテロ原子又はこれらの組み合わせを更に有するそれらの誘導体に言及している; 前記液体先駆物質組成物を気化させて、気化した先駆物質組成物を作ること;並びに前記気化した先駆物質組成物を、少なくとも1種の酸化性ガスと組み合わせて、前記半導体基材又は基材アセンブリに送って、この半導体基材又は基材アセンブリの表面に酸化ルテニウムフィルムを作ること;を含む、半導体構造体の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 16/40 , C01G 55/00 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 27/105

FI (5件)：

C23C 16/40 , C01G 55/00 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 Z , H01L 27/10 444 C

Fターム (30件)：

4G048AA02 , 4G048AB01 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AE08 , 4K030AA12 , 4K030AA14 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030DA09 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104AA05 , 4M104AA09 , 4M104BB06 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF18 , 4M104GG19 , 4M104HH05 , 4M104HH13 , 5F083FR01 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083JA43 , 5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (1件)

特許第3875491号

引用文献：

審査官引用 (2件)

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