シリコンの異方性エッチング方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河野登夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-354991
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158214
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】異方性が高い良好なエッチング形状と、速いエッチング速度及び高い選択比とを両立できるシリコンの異方性エッチング方法及び装置を提供する。【解決手段】サイズが異なる複数のパターンにおいて絶縁膜上のシリコン膜をエッチングする際に、初めの段階では、高い周波数(13.56MHz)の交流電力の印加によって引き込んだプラズマを用いてエッチングを行い、その後、低い周波数(380kHz)の交流電力の間欠的印加によって引き込んだプラズマを用いてエッチングを行う。この前者のエッチングから後者のエッチングへの切換えを、最もエッチング速度が速いパターン(最もサイズが大きいパターン)におけるエッチングが下地の絶縁膜との界面にまで進行したタイミングで行う。このタイミングは、終点検出器10で検出する。

請求項（抜粋）：

交流電力の印加によってプラズマを発生させ、絶縁体上にシリコン膜が形成されてなる試料を載置する基板電極に交流電力を印加して前記発生させたプラズマを引き込み、サイズが夫々に異なる複数のパターンの前記シリコン膜にその厚さ方向の異方性エッチングを行う方法において、第1周波数の交流電力の前記基板電極への印加によってエッチングを行う第1工程と、前記第1周波数より低い周波数である第2周波数の交流電力の前記基板電極への間欠的印加によってエッチングを行う第2工程とを有することを特徴とするシリコンの異方性エッチング方法。

FI (2件)：

H01L 21/302 A , H01L 21/302 E

Fターム (11件)：

5F004AA05 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004CA03 , 5F004CA09 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004EA23 , 5F004EB04

引用特許：

審査官引用 (14件)

半導体装置の製造方法と製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-265749 出願人：富士通株式会社
特開平4-148534
試料の表面処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-036226 出願人：株式会社日立製作所

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