特許

J-GLOBAL ID：200903089371028966

半導体集積回路装置

発明者： 橋本 正美
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-031059
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223213
出願日： 2004年02月06日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】 微細化が進み、高速、大規模回路となった集積回路は大きな消費電流、過渡電流が流れるようになった。それにともない電圧降下やノイズが増大し、これらに対応できる電源配線の構成が必要となった。【解決手段】 集積回路の多層配線において正極性および負極性の電源配線専用の配線層を設ける。また、これらの正負の専用電源配線層を対向させる。以上より、大電流を流せる充分な電源配線面積と低インピーダンスを確保し、かつ電源間に大きな静電容量のキャバシタを形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

3層以上の金属配線層を有する半導体集積回路において、正極性電源配線専用の配線層と、負極性電源配線専用の配線層とを、有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (3件)：

H01L21/82 L ,  H01L27/04 D ,  H01L27/04 H

Fターム (10件)：

5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CD02 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ20 ,  5F064EE23 ,  5F064EE26 ,  5F064EE43 ,  5F064EE45 ,  5F064EE52

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-102454   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-075025   出願人：日本電気株式会社