特許

J-GLOBAL ID：200903089382942627

窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法及び発光素子

発明者： 矢木 肇 ,  矢元 久良 ,  佐藤 勇一 ,  山中 英雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071298
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269142
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 得られるGaNエピタキシャル層と基層との間に大きな熱歪を発生させることなく、しかも製造コストの増大を抑えたGaNエピタキシャル層の形成方法の提供が望まれている。【解決手段】 基層1表面上に、触媒CVD法により窒化ガリウムを結晶成長させて窒化ガリウムエピタキシャル層2を得る窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法。触媒CVD法により窒化ガリウムを結晶成長させるに先立ち、基層1表面を露出させる開口部3を有したマスク4を形成し、その後、マスク4の開口部3内にて露出した基層1表面上に、触媒CVD法により選択的に窒化ガリウムを結晶成長させて窒化ガリウムエピタキシャル層2を得るようにしてもよい。

請求項（抜粋）：

基層表面上に、触媒CVD法により窒化ガリウムを結晶成長させて窒化ガリウムエピタキシャル層を得ることを特徴とする窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (38件)：

5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA67 ,  5F045AB14 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB07 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045DB02 ,  5F045DP05 ,  5F045EK08 ,  5F045HA04 ,  5F045HA19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III-V族化合物半導体の気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-089338   出願人：日立電線株式会社
• 無転位GaN基板の製造方法及びGaN基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-350701   出願人：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-135220   出願人：旭化成工業株式会社