特許

J-GLOBAL ID：200903089399629418

半導体製造装置及び方法

発明者： 佐久間 春信
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147948
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022499
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 残留吸着力を低減し半導体基板を基板保持電極から短時間に離すことができ、装置のスループットを向上すると共に放電中は静電吸着による半導体基板の電位勾配を押え、半導体基板にダメージを与えることを軽減する。【構成】 高真空に排気される真空容器1内に設けられた基板保持電極3を,絶縁物4内に複数の静電吸着電極5A,5B・・・を埋設して形成し、1部及び他の静電吸着電極5A,5B・・・に、同一又は異なる極性の直流電圧を切換え印加し、該静電吸着電極5A,5B・・・と周辺電極6を静電容量7で結合すると共に、周辺電極6と静電吸着電極5A,5B・・・とに高周波電力を印加してなる。

請求項（抜粋）：

高真空に排気される真空容器(1)内に、半導体基板(2)が保持される基板保持電極(3)を有する半導体製造装置において、基板保持電極(3)は、絶縁物(4)内に複数の静電吸着電極(5A,5B・・・)を埋設して形成し、各静電吸着電極(5A,5B・・・)のみに直流電圧を印加して該静電吸着電極(5A,5B・・・)と周辺電極(6)を静電容量(7)で結合してなる半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/50 ,  C23F 1/08 102 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349237   出願人：富士通株式会社
• 静電吸着方法及び静電吸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-099619   出願人：ソニー株式会社