特許
J-GLOBAL ID：200903089422015562
整列イオンビームアシスト成膜法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-063556
公開番号（公開出願番号）：特開平9-256152
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：
【要約】【課題】 プラズマビームアシスト法における成膜時の面内配向の出現機構の検討から、イオンビーム側のイオンの位置空間に着目し、従来技術の限界を越えた高い配向度を持つイオンビーム成膜法を提供する。【解決手段】 希ガス・活性ガスなどのイオンを、ビーム断面において一方向に直線状に整列させた平行ビームを形成し、低真空空間に引出して成長膜面にアシスト照射し、結晶性、配向性、特に3軸配向性の制御が可能であることを特徴とする整列イオンビームアシスト成膜法を提供する。
請求項（抜粋）：
イオンビーム断面において一方向に直線状に整列させた平行イオンビームを形成し、これを成長膜面にアシスト照射することを特徴とする整列イオンビームアシスト成膜法。
IPC (3件)：
C23C 14/48
, C30B 23/08
, H01L 21/203
C23C 14/48 D
, C30B 23/08 P
, H01L 21/203 M
審査官引用 (1件)
-
結晶配向薄膜製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-239512
出願人：株式会社三ツ葉電機製作所, 科学技術庁金属材料技術研究所長
引用文献：
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