特許

J-GLOBAL ID：200903089423016457

半導体装置の製造方法

発明者： 斉藤 真美 ,  冨田 寛 ,  宮崎 邦浩 ,  灘原 壮一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-371746
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246378
出願日： 2001年12月05日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 複数のエッチング工程において共通に使用できるエッチング原液を提供する。【解決手段】 H2SO4とNH4F、もしくはH2SO4とHFを主成分とし、含有H2Oが5wt%以下であるエッチング原液を使用するエッチング工程を有する半導体装置の製造方法である。さらに、H2SO4とH2Oとの混合液、またはこの混合液に微量のフッ酸を添加したエッチング液を用い、SiN膜を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

H2SO4とNH4F、もしくはH2SO4とHFを主成分とし、含有H2Oが5wt%以下である溶液をエッチング原液として使用するエッチング工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/308 E ,  H01L 21/304 642 B ,  H01L 21/302 N

Fターム (11件)：

5F004AA14 ,  5F004DB03 ,  5F004DB24 ,  5F004FA07 ,  5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043AA37 ,  5F043BB22 ,  5F043BB23 ,  5F043BB25 ,  5F043BB27

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ドライエッチング後の側壁残さを除去するための溶液および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-533981   出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
• 半導体装置の表面処理液および半導体装置のウエット処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-051478   出願人：松下電器産業株式会社