特許

J-GLOBAL ID：200903089434454960

記録素子およびドリフト移動度変調素子

発明者： 平尾 明子 ,  西沢 秀之 ,  杉内 政美 ,  宮本 浩久 ,  細矢 雅弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-055031
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022034
出願日： 1996年03月12日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】 電極を必要とせず、記録容量の大きな記録素子を提供する。【解決手段】 外部エネルギーにより第1の電荷を発生する第1の電荷発生材、この電荷を輸送する第1の電荷輸送材、電荷を受け取る電荷捕獲材、および電気光学効果を有する材料を含有する記録層を具備し、電荷を発生した第1の電荷発生材と電荷を受け取った電荷捕獲材との間の電荷の授受により生じる内部電界のみにより、記録層の光学特性を変化させる記録素子である。

請求項（抜粋）：

外部エネルギーにより第1の電荷を発生する第1の電荷発生材、この電荷を輸送する第1の電荷輸送材、電荷を受け取る電荷捕獲材、および電気光学効果を有する材料を含有する記録層を具備し、電荷を発生した第1の電荷発生材と電荷を受け取った電荷捕獲材との間の電荷の授受により生じる内部電界のみにより、記録層の光学特性が変化する記録素子。

IPC (7件)：

G02F 1/35 ,  B41M 5/26 ,  G03C 1/725 ,  G11B 7/24 501 ,  H01L 51/10 ,  H01L 31/08 ,  G03G 5/02

FI (7件)：

G02F 1/35 ,  G03C 1/725 ,  G11B 7/24 501 B ,  G03G 5/02 Z ,  B41M 5/26 X ,  H01L 31/08 T ,  H01L 31/08 Q

引用特許：

審査官引用 (3件)

• フオトリフラクテイブ素子用のCdTe単結晶とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-228928   出願人：住友金属鉱山株式会社
• フオトリフラクテイブ素子用のGaP単結晶とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-228929   出願人：住友金属鉱山株式会社
• フォトリフラクティブ高分子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-110720   出願人：株式会社日立製作所