特許

J-GLOBAL ID：200903089488511250

イオン伝導性薄膜及びその製造方法

発明者： 武部 安男 ,  大竹 忠 ,  美濃 規央 ,  小川 一文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-194420
公開番号（公開出願番号）：特開平7-048459
出願日： 1993年08月05日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】 化学吸着法を用いてオングストロームオーダーの膜厚の成膜および膜厚制御が可能で、そのため透明性が良好でかつピンホールフリー、しかもかつ強固に基体と結合しているイオン伝導性薄膜を提供する。【構成】 膜構成分子2が基体と直接若しくは内層膜を介して間接的にSi、Ge、Sn、Ti、Zr、S、Cから選ばれる少なくとも1つの原子を介して共有結合しており、前記膜内にエーテル結合、スルフィド結合、エステル結合、アミノ基、リン酸基、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、スルホン酸基、第4級アンモニウム基、ホスフォニル基(-PO2 -)、ホスフィニル基(-PO-)、スルフォニル基(-SO2 -)、スルフィニル基(-SO-)から選ばれる少なくとも1つの結合若しくは官能基、かつイオンを含んでいる。

請求項（抜粋）：

基体表面と共有結合によって形成されている化学吸着膜であって、エーテル結合、スルフィド結合、エステル結合、アミノ基、リン酸基、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、スルホン酸基、第4級アンモニウム基、ホスフォニル基(-PO2 -)、ホスフィニル基(-PO-)、スルフォニル基(-SO2 -)、及びスルフィニル基(-SO-)から選ばれる少なくとも1つの結合若しくは官能基を含み、かつ一般式(化1)及び一般式(化2)から選ばれる少なくとも一つのイオンを含み、かつイオン伝導性を有することを特徴とするイオン伝導性薄膜。【化1】【化2】

IPC (3件)：

C08J 5/18 CFJ ,  B01J 19/00 ,  C09K 3/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 親水性薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220823   出願人：松下電器産業株式会社
• 帯電防止膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-109874   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-328701
  
• 特開平4-328701