特許
J-GLOBAL ID：200903089510152480
ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小林 久夫
, 安島 清
, 佐々木 宗治
, 大村 昇
, 高梨 範夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-090933
公開番号（公開出願番号）：特開2007-261152
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】薄板化処理した後にノズル孔内部に異物が残留することがない高歩留まりで生産性のよいノズル基板の製造方法等を提供する。【解決手段】小径孔11a先端が基材により閉じられ大径孔11b基端が基材表面に開口されて2段形状で連通されたノズル孔をエッチング加工によってシリコン基材100に形成する工程と、小径孔11aび大径孔11bの内壁に保護膜104aを形成する工程と、大径孔11b側の面に支持基板120を貼り合せる工程と、小径孔11aの手前までシリコン基材100を研削加工する工程と、シリコン基材100の小径孔11a側の面をウエットエッチングによって薄板化する工程と、小径孔11aの面に残留している保護膜104aを除去して小径孔11aを開口する工程と、小径孔11a側の面を撥インク処理する工程と、支持基板100を剥離する工程とを含む。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
小径孔先端が基材により閉じられ大径孔基端が基材表面に開口されて2段形状で連通されたノズル孔をエッチング加工によってシリコン基材に形成する工程と、前記小径孔及び大径孔の内壁に保護膜を形成する工程と、前記シリコン基材の前記大径孔側の面に支持基板を貼り合わせる工程と、前記シリコン基材の前記小径孔の手前まで該シリコン基材を研削加工する工程と、前記研削加工された前記シリコン基材の小径孔側の面をウエットエッチングによって所望の厚みに薄板化する工程と、薄板化された前記シリコン基材の小径孔側の面に残留している前記保護膜を除去して前記小径孔を開口する工程と、薄板化された前記シリコン基材の小径孔側の面を撥インク処理する工程と、前記支持基板を前記シリコン基材より剥離する工程とを含むことを特徴とするノズル基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
2C057AF72
, 2C057AF93
, 2C057AG09
, 2C057AG54
, 2C057AP13
, 2C057AP32
, 2C057AP33
, 2C057AP52
, 2C057AP53
, 2C057AP60
, 2C057AQ02
, 2C057BA04
