特許

J-GLOBAL ID：200903089515322724

成膜方法

発明者： 石塚 穂高 ,  杉本 佳夫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-063202
公開番号（公開出願番号）：特開2002-266073
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2002年09月18日
要約：

【要約】【課題】 表面状態および特性のばらつきが小さく安定して良好な膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】 処理容器11内にHFを含むガスまたは反応によりHFガスを生成する物質を導入して、処理容器11内をHFを含むガスでパージし(ST3)、処理容器11内に被処理基板Wを配置し(ST4)、処理容器11内に成膜ガスを供給して成膜処理を行う(ST6,ST7)。

請求項（抜粋）：

処理容器内にHFを含むガスまたは反応によりHFガスを生成する物質を導入して、処理容器内をHFを含むガスでパージする工程と、前記処理容器内に被処理基板を配置する工程と、前記処理容器内に成膜ガスを供給して成膜処理を行う成膜工程とを具備することを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 16/14 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/285 301

FI (3件)：

C23C 16/14 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/285 301 R

Fターム (15件)：

4K030AA04 ,  4K030AA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030DA02 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-328865   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-319403   出願人：ソニー株式会社