特許

J-GLOBAL ID：200903023420035794

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者： 山崎 英亮 ,  米澤 諭 ,  有馬 進 ,  河野 有美子 ,  立花 光博
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-328865
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150330
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 ゲート用バリア膜として窒化タングステン膜を成膜する際にWF6ガスとNH3ガスを原料ガスとして用いる場合にはこれらの原料ガスの副生成物ができ、この副生成物がパーティクル源になる。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、WF6ガスとアンモニアNH3ガスをシャワーヘッド10からチャンバー20内へ供給して半導体ウエハWにWNX膜を成膜する半導体装置の製造方法であって、シャワーヘッド10及びチャンバー20内のガス接触部位それぞれの温度を、WF6ガスとNH3ガスの副生成物(NH4F及びこれにW原子が結合した化合物)の付着を防止する温度(例えば、120°C)に設定することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

六フッ化タングステンガスとアンモニアガスをガス供給機構から成膜室内へ供給して被処理体に窒化タングステン膜を成膜する半導体装置の製造方法であって、上記ガス供給機構及び/または上記成膜室内のガス接触部位それぞれの温度を、六フッ化タングステンガスとアンモニアガスの副生成物の付着を防止する温度に設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/00 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285 301

FI (3件)：

H01L 21/00 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/285 301 R

Fターム (24件)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA13 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030DA06 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA08 ,  4K030KA22 ,  4K030KA25 ,  4K030KA41 ,  4K030KA47 ,  4K030LA15 ,  4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン含有ソースガスを用いる窒化タングステン付着方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-519053   出願人：マイクロンテクノロジーインコーポレイテッド
• 成膜装置及び成膜方法並びに成膜装置の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-036425   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 処理装置及びそのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-256505   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-187971   出願人：株式会社日立製作所