特許
J-GLOBAL ID：200903089526649849
薄膜トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-183438
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121761
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 電界効果移動度を向上させると同時に漏洩電流を減少させ、AM-LCDの表示特性を向上させることができる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 上部にゲート電極が形成された透明な絶縁基板を有し、この基板上にゲート絶縁膜が形成され、アクティブ層がゲート電極に対向しながら前記ゲート絶縁膜上に形成される。ここで、アクティブ層は微結晶シリコン(μc-Si) 層と塩素の含んだ非晶質シリコン(a-Si:H(Cl))層とが順次的に積層された2重膜からなる。エッチストッパがゲート上部のアクティブ層上に形成され、エッチストッパとアクティブ層の両側上にエッチストッパの上面を露出させるオーミック層が形成される。ソース及びドレイン電極がゲート絶縁膜及び前記オーミック層上に形成される。
請求項（抜粋）：
上部にゲート電極が形成された透明な絶縁基板;前記基板上に形成されたゲート絶縁膜;及び、前記ゲート電極に対向しながら前記ゲート絶縁膜上に形成され、微結晶シリコン (μc-Si) 層と塩素を含んだ非晶質シリコン(a-Si:H(Cl))層とが順次的に積層された2重膜からなるアクティブ層を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 618 E
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 618 A
