非晶質シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：八田幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016818
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242005
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【課題】 TFT-LCDのスイッチング素子として有用な非晶質シリコンTFTにおいて、オーム接触層及び活性層を改善して素子の特性を向上させた非晶質シリコンTFT及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SiH2 Cl2 ガスが添加された混合ガスを用いてClの含まれた微細結晶質シリコンをオーム接触層24として用いることで工程収率及び生産性を向上させ得る。さらに、水素量が少なく安定性に優れたClの含まれた水素化された非晶質シリコンをTFTの活性層として用いることにより、オフ電流を既存のTFTの約1/10程度に減少し得る。特に光照射時のオフ電流が著しく減らすので、バックライト照明時の漏れ電流を大幅に減少し得る。従って、良質のTFT-LCDの制作に有用である。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にゲート電極の形成されている非晶質シリコン薄膜トランジスタにおいて、前記非晶質シリコン薄膜トランジスタのチャネルとなる水素化された非晶質シリコン層とソース/ドレイン電極間のオーム接触のためのオーム接触層がClの含まれた微細結晶質シリコン層により構成されることを特徴とする非晶質シリコン薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 627 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭61-065477
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-048473 出願人：富士通株式会社
特開昭57-160123

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