特許
J-GLOBAL ID：200903089529043208
化学的機械的研磨方法、化学的機械的研磨システム、及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-061284
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252036
出願日： 2004年03月04日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 化学的機械的研磨における研磨レートや研磨時間の設定を、研磨対象の製品ウエハや使用する装置等の機差を考慮して高精度に行えるようにする。【解決手段】化学的機械的研磨の状況を示す曲線のうち、目標研磨量を示す側の部分を良く近似する式を算出式として用いることで、研磨レートや研磨時間の算出を、実際に製品ウエハの研磨を実施する化学的機械的研磨状況に則して精度高く設定することができる。かかる算出式では、研磨対象の膜の膜性状に関するパラメータAと、膜表面の起伏状態に関するパラメータBと、化学的機械的研磨装置の装置間機差に関するパラメータCとが演算子で結合されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
製品ウエハに依存するウエハ依存パラメータと、前記ウエハ依存パラメータとは独立して前記製品ウエハを化学的機械的研磨する装置に依存する装置依存パラメータとが、演算子により結合された算出式を用いて算出した値により前記製品ウエハを化学的機械的研磨することを特徴とする化学的機械的研磨方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/304 621D
, H01L21/304 622R
