III族窒化物半導体基板材料及びデバイスにおけるGaNナノワイヤーのパルス状成長及び応用

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人小田島特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-558549
公開番号（公開出願番号）：特表2009-542560
出願日： 2007年03月09日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

例示の実施例は、高品質(即ち、無欠陥)のIII族窒化物ナノワイヤー及び均一なIII族窒化物ナノワイヤーアレイを含む半導体デバイス、並びに規模の変更が可能なこれらの製造工程であって、各ナノワイヤーの位置、指向方向、断面の特徴、長さ及び結晶化度を正確に管理し得る製造工程を提供する。約10-1000nmの例示の直径の一定の断面特徴で約10nmから約1000μmの一様な長さを提供する開示されたIII族窒化物ナノワイヤー及び/又はナノワイヤーアレイを製造するためにパルス状成長モードを使用することができる。加えて、可視LED及びレーザーの製造を容易にするために、多数のGaNナノワイヤー及び/又はナノワイヤーアレイを合体させることにより高品質のGaN基板構造を形成することができる。更に、各ナノワイヤーの非極性側壁におけるコアシェル成長により、コアシェルナノワイヤー/MQW能動構造を形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板の複数の部分を露出させるパターン化された複数の開口を有する選択成長マスクを基板上に形成する工程、パターン化された各開口に露出された基板の複数の部分の各々において半導体材料を成長させるために選択非パルス状成長モードを使用する工程、非パルス状成長モードからパルス状成長モードへの成長モードの転換を行う工程、及び半導体材料のパルス状成長モードを継続することにより複数の半導体ナノワイヤーを形成する工程、を有するナノワイヤーの製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/66 , C30B 29/62 , H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/66 , C30B29/62 Q , H01L21/205

Fターム (41件)：

4G077AA04 , 4G077AB02 , 4G077AB09 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077DB12 , 4G077DB13 , 4G077EA10 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EE07 , 4G077EH04 , 4G077EH09 , 4G077HA06 , 4G077TA01 , 4G077TA03 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TC10 , 4G077TC19 , 4G077TF01 , 4G077TJ02 , 4G077TJ05 , 4G077TK01 , 4G077TK10 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF04 , 5F045AF20 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F045EE12 , 5F045EE19 , 5F045GB19

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国暫定出願第60/780,833号明細書
米国特願第60/789,337号明細書
米国特願第60/808,153号明細書

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審査官引用 (1件)

ナノワイヤー発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-111200 出願人：三星電子株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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