特許

J-GLOBAL ID：200903089544519170

半導体装置

発明者： 加藤 晃次
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196615
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031393
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【目的】 誘電体が二つの電極によって挟まれた構造を有するキャパシタが、能動素子の形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置において、キャパシタの占有面積を縮小し、誘電率等のキャパシタ特性の、印加電圧方向による差異を無くし、さらに製造工程を削減することによって、高密度・高性能な半導体装置を低コストに提供する。【構成】 キャパシタの誘電体と電極の接する面が、半導体基板に垂直であり、また、キャパシタの電極が2つ同時に、しかも誘電体より前に形成され、また、誘電体の全部もしくは一部が配線層より上の層でボンディング・パッド以外の部分を覆う。

請求項（抜粋）：

誘電体が二つの電極によって挟まれた構造を有するキャパシタが、能動素子の形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置において、前記二つの電極の有するキャパシタンスに寄与する面のうち全て、もしくは一部が、半導体基板の主面と垂直、もしくは45度以上の角をなして配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-023657
  
• 半導体集積回路用容量素子及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-015446   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141264   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド