特許
J-GLOBAL ID:200903089559960272
超高速パルスレーザ堆積を使用する電気化学デバイス作製方法。
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大川 宏
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-527754
公開番号(公開出願番号):特表2008-504669
出願日: 2005年06月09日
公開日(公表日): 2008年02月14日
要約:
多層薄膜電気化学デバイスを作製する方法が提供される。その方法は、チャンバー中に第1ターゲット材料を供給するステップと、前記チャンバー中に基板を供給するステップと、第1プラズマを生成するために前記第1ターゲット材料に向けられた第1断続レーザビームを放射するステップであって、前記第1断続レーザビームの各パルスは約20fsから約500psのパルス持続時間をもつ、ステップと、第1薄膜を形成するために前記基板の上に前記第1プラズマを堆積するステップと、前記チャンバー中に第2ターゲット材料を供給するステップと、第2プラズマを生成するために前記第2ターゲット材料に向けられた第2断続レーザビームを放射するステップであって、前記第2断続レーザビームの各パルスは約20fsから約500psのパルス持続時間をもつ、ステップと、第2薄膜を形成するために前記第1薄膜の上あるいは上方に前記第2プラズマを堆積するステップと、を有する。【図1】
請求項(抜粋):
チャンバー中に第1ターゲット材料を供給するステップと、
前記チャンバー中に基板を供給するステップと、
第1プラズマを生成するために前記第1ターゲット材料に向けられた第1断続レーザビームを放射するステップであって、前記第1断続レーザビームの各パルスは約20fsから約500psのパルス持続時間をもつ、ステップと、
第1薄膜を形成するために前記基板の上に前記第1プラズマを堆積するステップと、
前記チャンバー中に第2ターゲット材料を供給するステップと、
第2プラズマを生成するために前記第2ターゲット材料に向けられた第2断続レーザビームを放射するステップであって、前記第2断続レーザビームの各パルスは約20fsから約500psのパルス持続時間をもつ、ステップと、
第2薄膜を形成するために前記第1薄膜の上あるいは上方に前記第2プラズマを堆積するステップと、
を有する多層薄膜電気化学デバイス作製方法。
IPC (6件):
H01M 10/36
, H01M 4/04
, H01M 4/88
, H01M 8/02
, H01M 8/10
, H01M 14/00
FI (6件):
H01M10/00 115
, H01M4/02 108
, H01M4/88 Z
, H01M8/02 P
, H01M8/10
, H01M14/00 P
Fターム (66件):
5H018AA06
, 5H018BB07
, 5H018DD08
, 5H018EE02
, 5H018EE05
, 5H018EE12
, 5H018HH00
, 5H018HH03
, 5H018HH08
, 5H018HH10
, 5H026AA06
, 5H026BB04
, 5H026CX04
, 5H026EE02
, 5H026EE05
, 5H026EE12
, 5H026HH00
, 5H026HH03
, 5H026HH08
, 5H026HH10
, 5H029AJ00
, 5H029AJ14
, 5H029AK02
, 5H029AK03
, 5H029AK05
, 5H029AL02
, 5H029AL06
, 5H029AL11
, 5H029AM12
, 5H029CJ24
, 5H029DJ09
, 5H029DJ17
, 5H029HJ00
, 5H029HJ04
, 5H029HJ05
, 5H029HJ14
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032CC14
, 5H032EE01
, 5H032HH00
, 5H032HH04
, 5H032HH06
, 5H050AA00
, 5H050AA19
, 5H050BA17
, 5H050BA18
, 5H050CA02
, 5H050CA08
, 5H050CA09
, 5H050CA11
, 5H050CB02
, 5H050CB07
, 5H050CB11
, 5H050CB13
, 5H050DA13
, 5H050FA02
, 5H050FA18
, 5H050GA24
, 5H050HA00
, 5H050HA04
, 5H050HA05
, 5H050HA14
, 5H050HA20
引用特許: