特許

J-GLOBAL ID：200903090073271848

配向性薄膜作製法

発明者： 湯上 浩雄
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 宮本 晴視
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-340218
公開番号（公開出願番号）：特開2003-147514
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：

【要約】【課題】 炭化水素ガス改質システム、ナトリウムー硫黄電池における固体電解質として優れたイオン導電性膜の形成法の提供【解決手段】 多孔質のセラミック固体電解質層表面にプロトン導電性膜を形成する結晶性の酸化物のターゲットからパルスレーザアブレーション堆積法(PLD)により膜厚方向に高いイオン導電性を示す電気伝導度に高い違法性を示す配向性薄膜を形成する方法。

請求項（抜粋）：

多孔質のセラミック支持基板表面に、プロトン導電性膜を形成する結晶性の酸化物のターゲットからパルスレーザアブレーション堆積法(PLD)により膜厚方向に高いイオン導電性を示す電気伝導度に高い異方性を示す配向性薄膜を形成する方法。

IPC (4件)：

C23C 14/28 ,  C23C 14/08 ,  H01M 8/02 ,  H01M 10/39

FI (4件)：

C23C 14/28 ,  C23C 14/08 K ,  H01M 8/02 K ,  H01M 10/39 A

Fターム (23件)：

4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BC03 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  4K029FA01 ,  5H026AA06 ,  5H026EE12 ,  5H026HH00 ,  5H026HH08 ,  5H026HH09 ,  5H029AM14 ,  5H029AM15 ,  5H029CJ00 ,  5H029CJ11 ,  5H029CJ24 ,  5H029EJ03 ,  5H029EJ05 ,  5H029HJ00 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ14 ,  5H029HJ15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 一次元貫通気孔を持つセラミック膜とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-354930   出願人：ファインセラミックス技術研究組合, 工業技術院長
• 固体電解質燃料電池用インターコネクター及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-206407   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 特開昭53-115694
  
• 特公平6-037291