特許

J-GLOBAL ID：200903089566279629

センスアンプ

発明者： 藤原 秀雄 ,  山中 誠司
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-081274
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279296
出願日： 1995年04月06日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 低消費電力でアクセス時間の短いセンスアンプを提供することを目的とする。【構成】 センスアンプ部1の活性化状態と非活性化状態とを切り替えるトランジスタTr4 と、センスアンプ部1内で電源から接地へのパスが形成されるとともにセンスアンプ部の出力が反転したことを前記トランジスタTr4 にフィードバックして当該トランジスタTr4 にセンスアンプ部1の非活性化を行わせるフィードバック手段(フィードバック経路4及びアンド回路ANDから成る)3と、センスアンプ部1の前記反転した出力を保持するラッチ回路5とを備えた。

請求項（抜粋）：

センスアンプ部の活性化状態と非活性化状態とを切り替える活性化制御手段と、センスアンプ部内で電源から接地へのパスが形成されたことを前記活性化制御手段にフィードバックして当該活性化制御手段にセンスアンプ部の非活性化を行わせるフィードバック手段と、前記センスアンプ部内で前記パスが形成された時点のセンスアンプ部の出力を保持するラッチ回路とを備えたことを特徴とするセンスアンプ。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  G11C 11/419 ,  G11C 11/409

FI (3件)：

G11C 17/00 520 B ,  G11C 11/34 311 ,  G11C 11/34 353 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349523   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開平3-016092
  
• 半導体読み出し専用記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-190356   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社