特許

J-GLOBAL ID：200903089605119316

半導体装置及びその製造方法

発明者： 池田 浩一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264016
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085522
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】多孔質無機材料を用いて絶縁膜を構成した場合にも、多孔質無機材料の低密度、低誘電率のメリットを活かしつつ、空孔を通じた水分等の大量移動を防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、基体上に多孔質無機材料から成る絶縁膜11を備え、絶縁膜11の表層部に位置する空孔20の内壁面に露出した多孔質無機材料の構成原子に、水酸基よりも嵩高い原子団が結合されている。

請求項（抜粋）：

基体上に多孔質無機材料から成る絶縁膜を備え、絶縁膜の表層部に位置する空孔の内壁面に露出した多孔質無機材料の構成原子に、水酸基よりも嵩高い原子団が結合していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/90 Q ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 D

Fターム (24件)：

5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033XX18 ,  5F033XX23 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-237539   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-099717   出願人：日本電気株式会社