特許
J-GLOBAL ID：200903089616180254

半導体レーザ

発明者：
馬場 俊彦

馬場 俊彦 について

, 
渡邊 秀輝

渡邊 秀輝 について

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横山 圭佑

横山 圭佑 について


出願人/特許権者：
国立大学法人横浜国立大学

国立大学法人横浜国立大学 について


代理人 (1件)： 塩野入 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-220039
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054795
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】フォトニック結晶を用いた半導体レーザが発するレーザ光のコヒーレンスを低下させる。【解決手段】フォトニック結晶を用いた半導体レーザにおいて、レーザモードを規定する構造パラメータをフォトニック結晶の面内で漸次変化させるチャープ構造とする。フォトニック結晶の面内において、異なる構造パラメータが設定された各部位からは、各構造パラメータに応じて定まる波長や位相をもつレーザ光が局所的に発生する。構造パラメータを漸次チャープ状になめらかに変化させることによって、波長や位相は漸次チャープ状になめらかに変化するレーザ光を発光する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性層と当該活性層の一方の面に積層して成る二次元フォトニック結晶とを有する半導体レーザにおいて、 前記フォトニック結晶の構造パラメータの少なくとも一つを、二次元フォトニック結晶の面内の少なくとも一方向に漸次変化させ、各構造パラメータに応じて発生する各レーザ光を発光することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S 5/12
FI (1件)：
H01S5/12
Fターム (9件)：
5F173AB90 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP37 ,  5F173AP42 ,  5F173AP47 ,  5F173AR12
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 光制御素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-039817   出願人：株式会社リコー, 馬場俊彦
審査官引用 (5件)
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