特許
J-GLOBAL ID：200903089623955547

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

発明者：
酒井 光彦

酒井 光彦 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-356800
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165409
出願日： 2005年12月09日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】 光の取り出し効率を向上させることが可能な半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体発光素子1は、支持基板2と、光を発光するMQW活性層13及び最上層のn-GaN層14とを含む半導体積層構造6とを備え、半導体積層構造6のn-GaN層14の上面には複数のコーン形状の凸部14aが形成されている。MQW活性層から発光される光の波長をλ、n-GaN層14の屈折率をnとすると、凸部14の底面の幅Wの平均値WAが、 WA≧λ/nとなるように凸部14aが形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 光を発光する活性層を含み、前記基板上に設けられた半導体積層構造とを備え、 前記半導体積層構造の最上層の光が放出される半導体層の上面に1又は複数の凸部が形成され、 前記活性層から発光される光の波長をλ、前記最上層の半導体層の屈折率をnとした場合、 前記複数の凸部の底面の幅の平均値WAが、 WA≧λ/n となるように前記凸部が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/306 B
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA99 ,  5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043DD08 ,  5F043GG10
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 国際公開第2005/064666号パンフレット
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM