半導体発光ダイオードとその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 青山正和 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-162374
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150675
出願日： 2004年05月31日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】二つの電極がチップの上面と下面に分けて配置された垂直型電極構造を有する発光ダイオードの作製技術及びサファイア基板のエッチング技術を利用した発光ダイオード製造方法の提供を目的とする。【解決手段】ビアホールを有する基礎基板、前記基礎基板の一面上に形成されており、前記基礎基板のビアホールと重なるビアホールは、バッファー層、前記バッファー層上に形成されている第1導電型接触層、前記第1導電型接触層上に形成されている第1クラッド層、前記第1クラッド層上に形成されている発光層、前記発光層上に形成されている第2クラッド層、第2クラッド層上に形成されている第2導電型接触層、前記第2導電型接触層上に形成されている第1電極、及び前記ビアホールを介して前記第1導電型接触層に連結されている第2電極を含む発光ダイオードを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ビアホールを有する基礎基板、前記基礎基板上に形成されている第1導電型接触層、前記第1導電型接触層上に形成されている活性層、前記活性層上に形成されている第2導電型接触層、前記第2導電型接触層上に形成されている第1電極、及び前記ビアホールを介して前記第1導電型接触層と電気的に連結されている第2電極を含む発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 E

Fターム (8件)：

5F041AA04 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA74 , 5F041CA93 , 5F041CB15 , 5F041DA17 , 5F041DB01

引用特許：

審査官引用 (20件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-147492 出願人：ソニー株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-058024 出願人：株式会社日立製作所
半導体発光素子および発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-118025 出願人：株式会社東芝

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