特許

J-GLOBAL ID：200903089626621364

銅系配線膜の形成方法

発明者： 藤川 隆男 ,  石井 孝彦 ,  成川 裕 ,  門口 誠 ,  田口 洋治
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091651
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288937
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 低電気抵抗および対EM性の改善を図った銅配線膜を製造する。【解決手段】 銅系の配線材料で被覆された基板を、還元性気体の雰囲気中で高圧ガスでの処理時の温度より低い温度で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する工程と、高圧ガス処理工程とを含む処理方法である。

請求項（抜粋）：

孔もしくは溝が形成された基板の絶縁膜の表面を、銅系の配線膜材料で被覆した後、300°C以上融点以下の温度で、高圧のガス圧力を作用させて、該配線膜材料を塑性流動もしくは拡散クリープさせて、被膜の下に残存した気孔を実質的に埋込んで消滅させる方法において、銅系の配線材料で被覆された基板を、還元性気体の雰囲気中で高圧ガスでの処理時の温度より低い温度で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する工程と、高圧ガス処理工程とを含むことを特徴とする銅系配線膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  C23C 14/34 K ,  C23C 14/58 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-136253   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-268160   出願人：三菱電機株式会社
• 電極配線の製造方法及び処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-232719   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-029598   出願人：ソニー株式会社