特許
J-GLOBAL ID：200903089638911422
半導体装置およびその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-149440
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013126
出願日： 2006年05月30日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】有機層の上に電極を形成することは形成時の温度によっては有機層への影響があるため温度に制限があり、希望通りの電極を形成することができず素子の微細化を阻害している問題があった。【解決手段】記憶素子の二端子として、2つの電極を同じ層に配置し、それらの間に有機化合物を含む層を設けた有機記憶素子の構造を提供する。2つの電極の間隔を狭めることによって、低電圧での書き込みを行うことが可能である。また、記憶素子の構造が簡素化され、記憶素子の占有面積を縮小することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の方向に延在するワード線と、
ワード線を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜に前記ワード線に達する開口と、
前記絶縁膜上に前記第1の方向と垂直な第2の方向に延在するビット線と、
前記絶縁膜上に前記開口を介して前記ワード線と電気的に接続する電極と、
前記絶縁膜上に前記電極の側面と該側面に対向する前記ビット線の側面との間に有機化合物を含む層とを有し、
前記電極と、前記ビット線と、前記有機化合物を含む層とが一つのメモリ素子を構成することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/28
, H01L 51/05
, H01L 27/10
, H01L 51/30
H01L27/10 449
, H01L27/10 431
, H01L29/28 100B
, H01L29/28 220B
5F083CR14
, 5F083CR15
, 5F083FZ07
, 5F083GA09
, 5F083GA27
, 5F083JA31
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083LA21
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR23
