特許
J-GLOBAL ID：200903089710555504

酸化スズ薄膜の低温形成方法

発明者：
金子 正治

金子 正治 について

, 
奥谷 昌之

奥谷 昌之 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-339950
公開番号（公開出願番号）：特開2002-146536
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：
【要約】【目的】 過酸化水素を酸化促進剤としてテトラブチルスズ又は四塩化スズ溶液に添加することにより、300〜500°Cと比較的低温の基板温度でも十分な製膜効率で酸化スズ薄膜をスプレー熱分解法により作製する。【構成】 過酸化水素を酸化剤として添加したテトラブチルスズ又は四塩化スズ溶液を予熱された基板に噴霧して熱分解し、原料溶液の噴霧によって低下した基板温度の回復をまって原料溶液の噴霧を間歇的に繰り返し、酸化スズ薄膜を基板表面に成長させる。フッ素又はフッ化物を添加した原料溶液を使用すると、電気抵抗の低い酸化スズ薄膜が作製される。
請求項（抜粋）：
過酸化水素を酸化剤として添加したテトラブチルスズ又は四塩化スズ溶液を所定温度に保持された基板に噴霧して熱分解し、原料溶液の噴霧によって低下した基板温度の回復をまって原料溶液の噴霧を間歇的に繰り返し、酸化スズ薄膜を基板表面に成長させることを特徴とする酸化スズ薄膜の低温形成方法。
IPC (4件)：
C23C 16/40 ,  C01G 19/02 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (4件)：
C23C 16/40 ,  C01G 19/02 C ,  H01L 21/285 Z ,  H01L 21/285 301 Z
Fターム (15件)：
4K030AA01 ,  4K030AA11 ,  4K030BA45 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD33 ,  4M104DD41 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (3件)

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