特許
J-GLOBAL ID：200903089748245436
半導体装置の多層配線構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-347914
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186433
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる上層配線とタングステンプラグからなるビアとを有するボーダレス配線技術による多層配線構造において、エレクトロマイグレーションによって発生したボイドによる抵抗上昇や断線を防ぎ、寿命を長くする。【解決手段】上層配線11の厚さをt、配線の長手方向に沿ったタングステンプラグ12の差し渡し(径)をdとして、t/dを1未満、好ましくは0.75以下とすることにより、電流密度が最大になると考えられる点Oを基準として、配線の長手方向に関し、電流密度勾配が前方側よりも後方側で大きくなるようにする。
請求項（抜粋）：
孔部を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され第1の端部と第2の端部とを有する帯状の配線と、前記孔部内に充填され導電性材料からなり一端が前記第1の端部側で前記配線と接合するプラグとを有し、前記配線の前記第2の端部側と前記プラグの他端側との間で電気的接続を確立する半導体装置の多層配線構造において、前記配線の前記第1の端部側を後方、前記第2の端部側を前方とし、前記配線の前記第2の端部側から前記プラグの他端側へ電流を流した場合に、前記配線と前記プラグとの接合領域内の点のうち最も電流密度が大きくなる点を基準として、前記配線の長手方向に関し、前記前方側よりも前記後方側の方が電流密度勾配が大きくなるように、前記配線及び前記プラグの材質と、前記配線の配線幅方向の断面形状とが定められている、半導体装置の多層配線構造。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/12 N
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 S
