特許

J-GLOBAL ID：200903089753923795

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 小町 友則
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-068488
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319974
出願日： 2004年03月11日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】 外来の電荷の影響を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。また、簡便、低コスト、小型、低オン抵抗及び高耐圧の半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板に形成する第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるドリフト層とを備える半導体装置において、前記ドリフト層の外側の側面に、前記ドリフト層とは逆極性であって、前記オフ状態で空乏となる低濃度層を備えることを特徴とする半導体装置。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板に形成する第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるドリフト層とを備える半導体装置において、 前記ドリフト層の外側の側面に、前記ドリフト層とは逆極性であって、前記オフ状態で空乏となる低濃度層を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (9件)：

H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652R ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658G

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 超接合半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-209267   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-357970   出願人：富士電機株式会社
• 縦型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-050748   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 米国特許第6608350号明細書
  

審査官引用 (1件)

• 半導体層と該半導体層の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-205204   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト