半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197408
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041241
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】1000°C付近の水素雰囲気中での熱処理では結晶性の回復や埋め込み酸化膜の膜質向上に対しては温度が低いので十分ではない。一方、高温で行うと、SOI層と埋め込み酸化膜界面の酸化膜までが還元除去され、埋め込み酸化膜の特性が悪くなる。【解決手段】シリコン基板1を酸化して酸化膜2を形成後、酸素のイオン注入する。次に、アルゴン雰囲気中で熱処理をおこなって、埋め込み酸化膜4を形成するとともに、表面シリコン層5の結晶欠陥を回復させる。次に、酸素雰囲気中でアニールを行う。次に、シリコン基板1の表面の酸化膜2をHF系エッチャントで除去し、拡散炉を用いて、950°Cの水素雰囲気中で30分間の熱処理を行い、表面シリコン層5の格子間酸素の還元除去を行った。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に酸素をイオン注入し、不活性ガス雰囲気中で、所定の温度で熱処理することにより、埋め込み酸化膜及び該埋め込み酸化膜上の表面シリコン層を形成する第1工程と、該第1工程後、水素雰囲気中での熱処理での雰囲気温度、又は水素プラズマ処理での基板温度を、上記表面シリコン層の格子間酸素が水素と還元反応を起こす温度以上で、且つ、上記埋め込み酸化膜の酸素が水素と還元反応を起こす温度より低い温度にして、上記熱処理又はプラズマ処理を行う第2工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/265 A , H01L 27/12 E , H01L 21/265 J

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-240230
SOI基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-081348 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱電機株式会社
特開昭61-193458

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