特許

J-GLOBAL ID：200903089820227634

Biアルコキシドを使用して強誘電性皮膜を形成するための低温度CVD法

発明者： フランク エス ヒンターマイアー ,  ピーター シー ヴァン ブスキルク ,  ジェフリー エフ ローダー ,  ブライアン シー ヘンドリックス ,  トーマス エイチ バウム ,  デブラ エー デスロチャーズ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト ,  アドヴァンスト テクノロジー マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-586979
公開番号（公開出願番号）：特表2003-512715
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2003年04月02日
要約：

【要約】化学蒸着を使用してBi酸化物、Sr酸化物及びTa酸化物の皮膜を、加熱した基板上にこれらの酸化物の前駆物質を基板表面で分解することによって形成させる。Bi酸化物の前駆物質は少なくとも1つのアルコキシド基を有し、かつ450°C未満の温度で分解かつ堆積するBi錯体である。低温CVDによって得られるBi酸化物、Sr酸化物及びTa酸化物の皮膜は主として非強誘電性が、引き続きの加熱プロセスによって強誘電性皮膜に変換可能である。

請求項（抜粋）：

基板上にBi酸化物からなる皮膜を形成する方法において、該方法が、Bi酸化物の前駆物質を溶液中で溶解し、この際前記Bi酸化物の前駆物質は少なくとも1つのアルコキシド基を有する;前記Bi酸化物の前駆物質を分解して450°C未満の温度でBi酸化物を形成する;及び前記Bi酸化物を前記基板に450°C未満の温度で堆積させることよりなる基板上にBi酸化物からなる皮膜を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40

Fターム (29件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA04 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA08 ,  4K030FA10 ,  4K030FA12 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BH01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-296313   出願人：株式会社高純度化学研究所
• Bi層状構造強誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-119350   出願人：松下電子工業株式会社, 株式会社高純度化学研究所, シンメトリックス・コーポレーション
• 半導体メモリ及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-205799   出願人：ソニー株式会社
• Biアミドを用いる強誘電体薄膜を製造するための低温CVD処理法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-531694   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, アドヴァンストテクノロジーマテリアルズインコーポレイテッド