特許
J-GLOBAL ID：200903089827227311
Si含有薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-001682
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191069
出願日： 1995年01月10日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 高価な成膜装置を用いずに、しかも低温でSi含有の薄膜を形成する方法を提供する。【構成】 下地10上にアルコキシ基を有するポリ(シロキサン)誘導体の膜12を形成する。この膜12に対し加熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
下地上にSi(珪素)含有薄膜を形成する方法において、下地上にアルコキシ基を有するポリ(シロキサン)誘導体の膜を形成する工程と、該膜に対し加熱処理を行う工程とを含むことを特徴とするSi含有薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, C09D183/06 PMV
