特許
J-GLOBAL ID：200903089851392528
焦電型赤外線センサエレメントおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-098209
公開番号（公開出願番号）：特開平8-292101
出願日： 1995年04月24日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 精度良く安価で、高感度な焦電型赤外線センサエレメントを提供すること。【構成】 SUS製のセンサ保持基板1上にCu膜2を形成する。次にMOプラズマCVD法により(100)面配向の岩塩型結晶構造酸化物のMgO膜3、スパッタ法により(100)面配向のPt膜4を順次形成する。さらにrfマグネトロンスパッタ法で焦電性のPLT膜5を形成する。フォトリソグラフィによりPLT膜を所定の大きさにパターンニングする。次にエッチングホール6を形成した後、PLT膜がパターンニング除去された部分にポリイミド樹脂膜7を形成する。エッチングホール6よりエッチング液を注入し、PLT膜直下に空隙部8を形成する。最後に、PLT素子部にNi-Cr電極膜9を形成し、焦電型赤外線センサエレメント10を作製する。
請求項（抜粋）：
センサ保持基板の上に、空隙部分を有する金属膜を配置し、前記空隙部分を覆うように(100)面配向の岩塩型結晶構造酸化物膜を配置し、前記岩塩型結晶構造酸化物膜上に(100)面配向のPt電極膜を配置し、前記Pt電極膜上に焦電性誘電体膜および絶縁性誘電体膜を配置し、前記焦電性誘電体膜上に電極膜を配置した焦電型赤外線センサエレメント。
引用特許：
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