特許
J-GLOBAL ID：200903089872749248
炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-283408
公開番号（公開出願番号）：特開2009-107900
出願日： 2007年10月31日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】SiC単結晶インゴットの径を大きくできるようにすることで歩留まり良くSiC単結晶を製造できるようにする。【解決手段】原料ガス加熱容器8内に排気管9を配置することにより、反応容器10内において原料ガス11を反応容器10の中心から離れた外周側から中心側に向かって流動させるようにしている。これにより、SiC単結晶インゴット14の成長面の広範囲にわたって原料ガス11を供給できるため、SiC単結晶インゴット14の径を大きくでき、歩留まり良くSiC単結晶を製造することが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素の結晶成長に用いる原料ガス(11)を導入するための原料ガス導入管(4)と、
中空部を構成する円筒状の第1側壁(8c)を有し、前記中空部にて前記原料ガス導入管(4)から導入される前記原料ガス(11)を通過させる原料ガス供給通路(12)を構成すると共に、該前記原料ガス供給通路(12)を通じて流れる前記原料ガス(11)を加熱する原料ガス加熱容器(8)と、
底部(10b)および円筒状の第2側壁(10a)を有する有底円筒状部材にて構成され、前記第2側壁(10a)の内周面と前記原料ガス加熱容器(8)における前記第1側壁(8c)の外周面とが接するように配置されると共に、前記底部(10b)の表面に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(13)が配置され、該炭化珪素単結晶基板(13)の表面に前記原料ガス加熱容器(8)にて加熱された前記原料ガス(11)を供給させる反応容器(10)と、
前記原料ガス加熱容器(8)の中空部内に配置された中空部を有する排気管(9)と、を備え、
前記原料ガス加熱容器(8)の前記中空部のうち前記排気管(9)の外周側を前記原料ガス供給通路(12)とし、前記排気管(9)の前記中空部を通じて、前記反応容器(10)に供給された前記原料ガス(11)のうち消費されなかった残りが排出されるように構成された炭化珪素単結晶の製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (21件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DB01
, 4G077DB11
, 4G077EA02
, 4G077ED06
, 4G077EG03
, 4G077EG15
, 4G077EG24
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA01
, 4G077TA04
, 4G077TA11
, 4G077TA12
, 4G077TB01
, 4G077TC01
, 4G077TD06
, 4G077TF06
, 4G077TH07
, 4G077TK01
