特許
J-GLOBAL ID：200903048438942660

SiC単結晶の製造方法及び製造装置

発明者：
二ツ山 幸樹

二ツ山 幸樹 について

, 
木藤 泰男

木藤 泰男 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-195558
公開番号（公開出願番号）：特開2006-089365
出願日： 2005年07月04日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】 所望の口径の結晶を得ることができるSiC単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 SiC種結晶13からSiC単結晶14を成長させる際において、X線発生装置21とイメージ管22を用いて結晶口径を測定する。そして、上下動機構17により結晶14のガイド部材6aへの挿入量を変化させて、測定した結晶口径を任意の設定値に合わせ込む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
SiC種結晶(13)からSiC単結晶(14)を成長させるSiC単結晶の製造方法において、 結晶成長中に結晶口径を直接的または間接的に測定する第1工程と、 前記第1工程で測定した結晶口径を任意の設定値に合わせ込む第2工程と、 を少なくとも有することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/16
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B25/16
Fターム (12件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077EG25 ,  4G077EH04 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA08 ,  4G077TA11 ,  4G077TD02 ,  4G077TJ02 ,  4G077TJ16
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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