特許
J-GLOBAL ID：200903089951781327
半導体メモリ装置の動作制御装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-049740
公開番号（公開出願番号）：特開平10-302465
出願日： 1998年03月02日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】単一データ率モードと二重データ率モードを一つの製品に実装した半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】同期式半導体メモリ装置において、外部から入力される調節信号に応答して、システムクロック信号の単一方向の遷移に対応してパルスを発生するSDRモード、又は、システムクロック信号の両方向の遷移に対応してパルスを発生するるDDRモードを選択する動作制御装置を備え、これにより生産性を向上させて生産費用を低減する。
請求項（抜粋）：
半導体メモリ装置の動作制御装置において、所定のマスター信号を発生させるモード選択部と、単一方向遷移モード時に前記マスター信号に応答して所定のクロック信号を伝送する第1伝送手段と、単一方向遷移モード時に前記第1伝送手段により伝送された前記クロック信号の単一方向の遷移に対応して、その出力信号のレベルを遷移させるシフトレジスタと、両方向遷移モード時に前記マスター信号に応答して前記クロック信号を伝送する第2伝送手段と、両方向遷移モード時に前記第2伝送手段により伝送された前記クロック信号の両方向の遷移に対応して、その出力信号のレベルを遷移させる中継器と、単一方向遷移モード時に前記マスター信号に応答して前記シフトレジスタの出力信号をパルス発生端に伝送する第3伝送手段と、両方向遷移モード時に前記マスター信号に応答して前記中継器の出力信号を前記パルス発生端に伝送する第4伝送手段と、前記パルス発生端の信号の遷移が発生する都度、パルスを発生させるパルス発生装置とを具備することを特徴とする半導体メモリ装置の動作制御装置。
FI (2件)：
G11C 11/34 362 S
, G11C 11/34 354 C
