特許
J-GLOBAL ID:200903089990166206

ハイブリッド溶接方法およびハイブリッド溶接装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 橋本 剛 ,  小林 博通 ,  富岡 潔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-026282
公開番号(公開出願番号):特開2005-219057
出願日: 2004年02月03日
公開日(公表日): 2005年08月18日
要約:
【課題】レーザ光学系へのスパッタの付着防止効果を高める。 【解決手段】 レーザ光9の照射によるレーザ溶接とMIGトーチ2によるMIG溶接とを併用したハイブリッド溶接装置において、一端をN極、他端をS極とする棒状の磁石13を連続回転させる磁界発生機構11と、エアシャッター12とを上下に設ける。磁界の影響とエアシャッター12のエア流れとをもってスパッタの飛散方向を変更し、レーザ光学系を保護している保護ガラス8へのスパッタ付着を防止する。 【選択図】 図2
請求項(抜粋):
レーザ溶接とアーク溶接とを併用して溶接を行うハイブリッド溶接方法であって、 溶接動作と並行して、レーザ溶接ヘッドのレーザ光照射口と溶接部とのなす空間に磁界が反転する場を発生させることを特徴とするハイブリッド溶接方法。
IPC (5件):
B23K26/00 ,  B23K9/16 ,  B23K9/32 ,  B23K26/14 ,  B23K26/16
FI (5件):
B23K26/00 310C ,  B23K9/16 K ,  B23K9/32 E ,  B23K26/14 A ,  B23K26/16
Fターム (12件):
4E001BB08 ,  4E001DD08 ,  4E001DG05 ,  4E001LA05 ,  4E001LA10 ,  4E068BC01 ,  4E068CB00 ,  4E068CG00 ,  4E068CG01 ,  4E068CH07 ,  4E068CH08 ,  4E068CJ03
引用特許:
出願人引用 (4件)
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