特許
J-GLOBAL ID：200903089993019166

多層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
上西 一也

上西 一也 について

, 
佐藤 健一郎

佐藤 健一郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  栗宇 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-256737
公開番号（公開出願番号）：特開2004-094029
出願日： 2002年09月02日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時に裾引き形状、パターン剥れ、ラインエッジラフネスに問題のない3層レジストプロセス用中間層材料組成物及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】ケイ素原子-酸素原子結合を有する特定構造を側鎖に有する繰り返し単位を含む重合体(A成分)を含有することを特徴とする多層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
一般式(A-I)で表わされる基を側鎖に有する繰り返し単位を含む重合体を含有することを特徴とする多層レジストプロセス用中間層材料組成物。
IPC (4件)：
G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/11 502 ,  G03F7/075 521 ,  G03F7/26 511 ,  H01L21/30 573
Fターム (19件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA14 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA20 ,  2H096EA05 ,  2H096HA23 ,  5F046NA06 ,  5F046NA07
引用特許：
審査官引用 (8件)
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