特許
J-GLOBAL ID：200903089998852923

半導体発光素子の駆動方法およびそれを用いた光伝送装置

発明者：
中津 弘志

中津 弘志 について

, 
倉橋 孝尚

倉橋 孝尚 について

, 
細羽 弘之

細羽 弘之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028604
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228543
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 光出力の立ち下がり特性を改善でき、小型化,軽量化および量産化に適した高速な半導体発光素子の駆動方法およびそれを用いた光伝送装置を提供する。【解決手段】 光出力のオフ時の少なくともオフ開始から所定の期間、バイアス電圧を発光ダイオードのビルトイン電圧より低くかつ光出力のオン時の駆動電圧と同極性の電圧に設定する。そして、発光ダイオードの駆動電流を高速に変調させて光出力のオンオフを繰り返すとき、光出力のオフ時に活性層内の残留キャリアを低減でき、光出力の立ち下がり時間を短縮できる。
請求項（抜粋）：
半導体発光素子の駆動電流を高速に変調させて光出力のオンオフを繰り返す半導体発光素子の駆動方法において、光出力のオフ時の少なくともオフ開始から所定の期間、バイアス電圧を上記半導体発光素子のビルトイン電圧より低くかつ光出力のオン時の駆動電圧と同極性の電圧に設定することを特徴とする半導体発光素子の駆動方法。
IPC (6件)：
H01L 33/00 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/26 ,  H04B 10/14 ,  H04B 10/04 ,  H04B 10/06
FI (2件)：
H01L 33/00 J ,  H04B 9/00 Y
Fターム (12件)：
5F041AA02 ,  5F041BB12 ,  5F041BB34 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041FF14 ,  5K002AA01 ,  5K002BA14 ,  5K002DA05
引用特許：
出願人引用 (10件)
  • 特開昭63-250873
  • 特開平2-205367
  • 特開平4-275469
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審査官引用 (23件)
  • 特開昭63-250873
  • 特開昭63-250873
  • 特開昭63-250873
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