特許
J-GLOBAL ID：200903090019963823

半導体ウェーハの検査方法およびその装置

発明者：
水野 忠良

水野 忠良 について

, 
龍田 次郎

龍田 次郎 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-033586
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219990
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェーハの表裏面の品質検査を同時に行うようにして、検査時間を短縮し、検査装置間の移送中の新たなウェーハ欠陥の発生を防ぎ、クリーンルームの小型化を図る。【解決手段】 シリコンウェーハWの外周部を把持し、ウェーハWを検査位置にセットする。この状態を維持して、ウェーハWの表面w1と裏面w2とに存在する異物、キズ、突起、COP、汚れなどaを同時に検査する。これにより、検査時間の短縮化が図れるとともに、第1,第2のパーティクル検出装置12,13間の移送中における新たなウェーハ欠陥の発生が防止でき、さらに第1,第2のパーティクル検出装置12,13を収納したクリーンルームの小型化も図れる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの外周部を把持した後、この把持された半導体ウェーハの表面および裏面に存在する異物、キズ、突起、COP、汚れなどを同時に検査する半導体ウェーハの検査方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/88 ,  G01N 37/00
FI (3件)：
H01L 21/66 J ,  G01N 21/88 E ,  G01N 37/00 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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